Table 2. Status of domestic cube satellite launch and operation [13]

Type	Description
TID(total ionizing dose)	반도체 내 지속적으로 피폭되어 축적된 결과로써 계면 트랩에 의해 누설 전류가 증가하는 현상
SEU(single event upser)	고준위 전리 방사와 재결합하는 과정에서 전류를 발생시키고 Bit upset이 발생하는 현상
SEL(single event latch-up)	디바이스 내부 구성 회로에 고전류 상태가 유도되어 기능을 손실하는 현상
DD(displacement damage)	입자 방사선이 격자의 핵과 충돌하여 격자 상태의 변형을 야기하여 격자격합이 발생하는 현상